반도체 제조에서 사용되는 전통적인 8대 공정은 다음과 같습니다:
1. 웨이퍼 제작: 실리콘 원판인 웨이퍼를 만듭니다. 이 단계에서는 크기와 깔끔한 표면을 갖춘 실리콘 재료를 사용하여 웨이퍼를 형성합니다.
2. 체결(Photolithography): 미세한 회로 패턴을 웨이퍼에 전달하기 위해 광각법 또는 유리접지 등의 기술을 사용합니다. 이를 통해 반도체의 회로 패턴을 정의하고 마스크를 사용하여 광원을 조사하여 회로를 형성합니다.
3. 음극도(Patterning): 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면을 에칭 등의 과정으로 처리하여 회로를 구성하는 미세한 특성을 형성합니다. 이 단계에서는 반도체 소자의 다양한 구성 요소를 만들기 위해 미세한 물질을 제거하거나 적층을 합니다.
4. 절연(Insulation): 반도체 소자 간의 전기적인 절연을 위해 다이렉트 계면에서 절연층을 형성합니다. 이 단계에서는 절연층을 위한 실리콘 디옥사이드, 실리콘 노크사이드 등의 물질을 사용합니다.
5. 적층(Formation): 반도체 소자에 필요한 다양한 층을 형성합니다. 이 단계에서는 다양한 재료를 사용하여 필요한 접점, 저항, 콘덴서 등을 형성합니다.
6. 반도체 소자 구성(Component Assembly): 반도체 소자를 제작하여 다른 부품과 연결합니다. 이 단계에서는 소자를 서로 연결하고 접촉 패드 등을 형성하여 소자 간의 전기적인 연결을 구축합니다.
7. 소자 특성화(Device Characterization): 제작된 반도체 소자의 특성을 확인하고 테스트합니다. 이 단계에서는 소자의 동작 및 특성을 분석하고 측정하여 정확한 기능을 확인합니다.
8. 포장(Packaging): 반도체 소자를 보호하고 외부와의 연결을 제공하기 위해 소자를 포장합니다. 이 단계에서는 소자를 보호하는 물리적인 패키지를 형성하고, 외부와의 연결을 위한 소자 핀 등을 제공합니다.
반도체 8대 공정을 쉽게 설명한 내용과 공정에 관련된 장비사입니다.
1. 웨이퍼 제작:
- 특징: 실리콘 원판인 웨이퍼를 만듭니다. 이 단계에서는 크기와 깔끔한 표면을 갖춘 실리콘 재료를 사용하여 웨이퍼를 형성합니다.
- 장비사: Applied Materials, ASML, Tokyo Electron
2. 체결(Photolithography):
- 특징: 광각법이나 유리접지 등을 사용하여 웨이퍼에 미세한 회로 패턴을 전달합니다.
- 장비사: ASML, Nikon, Canon
3. 음극도(Patterning):
- 특징: 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면을 에칭 등의 과정으로 처리하여 회로를 구성하는 미세한 특성을 형성합니다.
- 장비사: Lam Research, Applied Materials, Tokyo Electron
4. 절연(Insulation):
- 특징: 반도체 소자 간의 전기적인 절연을 위해 절연층을 형성합니다.
- 장비사: Lam Research, Tokyo Electron, Applied Materials
5. 적층(Formation):
- 특징: 반도체 소자에 필요한 다양한 층을 형성합니다.
- 장비사: Lam Research, Tokyo Electron, Applied Materials
6. 반도체 소자 구성(Component Assembly):
- 특징: 반도체 소자를 제작하여 다른 부품과 연결합니다.
- 장비사: Kulicke & Soffa, ASM International, Palomar Technologies
7. 소자 특성화(Device Characterization):
- 특징: 제작된 반도체 소자의 특성을 확인하고 테스트합니다.
- 장비사: KLA Corporation, Teradyne, Advantest
8. 포장(Packaging):
- 특징: 반도체 소자를 보호하고 외부와의 연결을 제공하기 위해 소자를 포장합니다.
- 장비사: ASM Pacific Technology, Kulicke & Soffa, Tokyo Electron
위에 언급된 장비사들은 반도체 제조 업계에서 널리 알려진 회사 중 일부입니다. 이는 장비 제조사의 일부 예시이며, 실제로는 다양한 제조사가 존재합니다.